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功率MOSFET   SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

特惠

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制造商编号 NDS331N
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A32-NDS331N-0
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 162pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 160m Ohms@1.5A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SuperSOT
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 1.3A
连续漏极电流Id 1.3A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 162pF @ 10V
功率 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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库存 :  2

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥0.55
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 7天-14天
起订量:1 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  1547

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 546,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
AO3400A 36,010
NCEP039N10D 28,800

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.55 

阶梯数 价格
1: ¥0.55
2 当前型号
RUF015N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2458
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1404
48,000 对比
RUF015N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2458
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1404
48,000 对比
RUF015N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2458
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1404
33,770 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
20,371 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
+1

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