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小信号MOSFET   ±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

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制造商编号 DMG2302U-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3-DMG2302U-7
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 20 V 90 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -SOT-23-3
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 594.3pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 800mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@3.6A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 4.2A
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