制造商编号 | IRLML2060TRPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A32-IRLML2060TRPBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 25µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | .67nC @ 4.5V | |
栅极电压Vgs | ±16V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 64pF @ 25V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
系列 | HEXFET® | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 25µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.67nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 64pF @ 25V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 480mΩ@1.2A,10V | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 1.2A | |
封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 7天-14天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产日期 : 1420
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRLML2060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
Micro3™/SOT-23 |
¥0.1478
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240 | 当前型号 | |||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
¥0.2475
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138,995 | 对比 | |||||||||||||
ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.04mm SOT-23 |
¥0.891
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5,849 | 对比 | |||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
¥0.3599
|
5 | 对比 | |||||||||||||
2N7002-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
¥1.8252
|
5 | 对比 | |||||||||||||
AO3460 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3L |
暂无价格 | 0 | 对比 |