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功率MOSFET   8-PowerVDFN

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制造商编号 RQ3C150BCTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-RQ3C150BCTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 30A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ@15A,4.5V
工作温度 -55℃~150℃
封装/外壳 8-PowerVDFN
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库存 :  190 生产周期:16W

价格梯度 单价(含税)

暂无价格

最小包:3,000 
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