| 制造商编号 | SSM6N36FE,LM |
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| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A-SSM6N36FE,LM |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOSFET | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| FET类型 | 2N-Channel | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 630 毫欧 @ 200mA,5V | |
| Vgs(th) | 1V @ 1mA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 46pF @ 10V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 1.23nC @ 4V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | ES6(1.6x1.6) | |
| 功率 | 150mW | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 500mA |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,000
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交期： 请咨询客服 |
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C，极快反向恢复能力
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ZVP4525E6TA | 1,546 |
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