| 制造商编号 | RN1101MFV,L3F |
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| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A-RN1101MFV,L3F |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用三极管 | |
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | 300mV @ 500uA,5mA | |
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V | |
| 产品状态 | 不适用于新设计 | |
| 封装/外壳 | VESM | |
| 功率 | 150 mW | |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50 V | |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100 mA | |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA | |
| 电阻器-发射极(R2) | 4.7 kOhms | |
| 电阻器-基极(R1) | 4.7 kOhms |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：8,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C，极快反向恢复能力
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBC846ALT1G | 273,000 |
| L8550HRLT1G | 258,000 |
| LMBT3904DW1T1G | 90,000 |
| LBSS4250Y3T1G | 58,000 |
| BC856S,115 | 48,000 |
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