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MOSFET   SOT-523

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制造商编号 DMN33D8LTQ-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A-DMN33D8LTQ-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 240mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5Ω@10mA,4V
栅极电压Vgs ±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 48 pF @ 5 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.55 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-523
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 115mA(Ta)
驱动电压 2.5V,4V
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN33D8LTQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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130: ¥0.3926
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