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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | UltraFET™ | |
| 连续漏极电流Id | 4.9A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2050pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47m Ohms@4.9A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
| 封装/外壳 | SOIC | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 150V | |
| 连续漏极电流Id | 4.9A | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥6.138 总价：￥15,345 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：2,500 | 倍数：2,500 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
￥6.138
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0 | 当前型号 | |||||||||||||||||||
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IRF7815TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 43mΩ@3.1A,10V N-Channel 150V 5.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IRF7815PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A |
￥12.1984
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2,480 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
￥28.4119
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1,200 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6R035BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 41mΩ@35A,10V -55℃~150℃ ±20V 150V 35A |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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