制造商编号 | SI2336DS-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-SI2336DS-T1-GE3 |
供货 | 自营 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 8V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 560pF @ 15V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOT-23-3 | |
连续漏极电流Id | 5.2A | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.8W | |
Qg-栅极电荷 | 10nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 42mΩ | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | 400mV | |
上升时间 | 10ns | |
下降时间 | 10ns | |
典型关闭延迟时间 | 20ns | |
典型接通延迟时间 | 6ns | |
宽度 | 1.60mm | |
正向跨导 - 最小值 | 30S | |
系列 | SI2 | |
通道数量 | 1Channel | |
配置 | Single | |
长度 | 2.9mm | |
高度 | 1.45mm |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |