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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT晶体管 | |
| 25°C时Td(开/关)值 | 39ns/113ns | |
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | |
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 1.9V @ 15V,40A | |
| 功率 | 85 W | |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
| 开关能量 | 1.02mJ(开),710uJ(关) | |
| 栅极电荷 | 81 nC | |
| 测试条件 | 400V,40A,10 欧姆,15V | |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650 V | |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 39 A | |
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 160 A | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 封装/外壳 | TO-3PFM |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE75ED65VT | 387 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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RGTV80TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM |
暂无价格 | 60 | 对比 | ||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM |
￥36.3173
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30 | 对比 | ||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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