制造商编号 | IPI80N06S2L05AKSA1 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IPI80N06S2L05AKSA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 80A(Tc) | |
FET类型 | N 通道 | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 4.8 毫欧 @ 80A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 5700pF @ 25V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 230nC @ 10V | |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) | |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |