制造商编号 | BSZ900N15NS3GATMA1 |
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商品别名 | BSZ900N15NS3 G |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-BSZ900N15NS3GATMA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 否 |
描述 |
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 13A(Tc) | |
FET类型 | N 通道 | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 90 毫欧 @ 10A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 20uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 510pF @ 75V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7nC @ 10V | |
功率耗散(最大值) | 38W(Tc) | |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 8V,10V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期: 请咨询客服 |
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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ900N15NS3 G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
¥10.0366
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100 | 对比 | |||||||||
RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 |
¥11.7002
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100 | 对比 |