制造商编号 | BSD235NH6327XTSA1 |
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商品别名 | BSD235N H6327 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-BSD235NH6327XTSA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 950mA | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
FET类型 | 2 N-通道(双) | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 350 毫欧 @ 950mA,4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1.6uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 63pF @ 10V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.32nC @ 4.5V | |
功率-最大值 | 500mW | |
封装/外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
产品特性 | 车规 |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
L2SK3018WT1G | 45,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,000 |
LSI1012XT1G | 20,605 |
PMV20ENR | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSD235NH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSD235N H6327_6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMGD290XN_SOT363 |
¥0.8492
|
9,000 | 对比 | |||||||||||
PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMGD280UN_SOT363 |
¥0.7513
|
238 | 对比 | |||||||||||
PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMGD290XN_SOT363 |
暂无价格 | 61 | 对比 | |||||||||||
PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMGD290XN_SOT363 |
¥0.8598
|
0 | 对比 | |||||||||||
PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMGD280UN_SOT363 |
¥0.8598
|
0 | 对比 |