制造商编号 | IRL40T209 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRL40T209 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
封装/外壳:PG-HSOF-8-1 FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:0.72mΩ@100A,10V Pd-功率耗散(Max):500W 工作温度:-55℃~175℃
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | PG-HSOF-8-1 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.72mΩ@100A,10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 500W | |
工作温度 | -55℃~175℃ | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
漏源极电压Vds | 40V | |
连续漏极电流Id | 300A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,000
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交期: 3天-5天 |
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |