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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 3A(Ta) | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 97 mΩ @ 3A,4.5V | |
| 栅极电荷Qg | 6.1nC @ 4.5V | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 20V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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最小包：3,000
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
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