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通用三极管   TO-220-3 TO-220AB NPN 40W 120V 6A 1V 120 10MHz

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 KSD363YTU
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A-KSD363YTU
供货 自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
KSD363 Series 120 V 6 A 40 W NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-220-3
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商品目录 通用三极管
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 1V @ 100mA,1A
电流-集电极截止(最大值) 1mA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1A,5V
功率 40W
频率-跃迁 10MHz
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
封装/外壳 TO-220AB
晶体管类型 NPN
集电极最大允许电流Ic 6A
集电极_发射极击穿电压VCEO 120V
功率耗散Pd 40W
集电极-发射极最大电压VCEO 120V
集电极连续电流 6A
集电极-射极饱和电压 1V
直流电流增益hFE 120
特征频率fT 10MHz
VEBO 8V
VCBO 300V
工作温度 -55℃~150℃
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