制造商编号 | DMG1013UW-7 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A3-DMG1013UW-7 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
DMG1013UW Series 20 V 750 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-323
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.622nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 59.76pF @ 16V | |
栅极电压Vgs | ±6V | |
Pd-功率耗散(Max) | 310mW(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 750mΩ@430mA,4.5V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOT-323 | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
连续漏极电流Id | 0.82A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,000 |
DMN2005LP4K-7 | 18,000 |
LSI1012XT1G | 14,600 |