制造商编号 | SIHG11N80E-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-SIHG11N80E-GE3 |
供货 | 自营 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
N-Channel 800V 12A(Tc) ±30V 179W(Tc) 440mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 800V | |
连续漏极电流Id | 12A(Tc) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 88nC | |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V | |
栅极电压Vgs | ±30V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1670pF | |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 100V | |
Pd-功率耗散(Max) | 179W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 440mΩ@5.5A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-247-3 |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:500
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交期: 请咨询客服 |
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 315,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
GP3134K | 24,000 |
LP3418DT2AG | 24,000 |
PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SIHG11N80E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 12A(Tc) ±30V 179W(Tc) 440mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SPW11N80C3FKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SPW11N80C3_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SPW11N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SPW11N80C3FKSA1_800V 11A 390mΩ 20V 156W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW65R420CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW65R420CFDFKSA1_650V 8.7A 420mΩ 30V 83.3W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |