| 制造商编号 | DMG3415UFY4-7 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A3-DMG3415UFY4-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single P-Channel 16 V 1.35 W 10 nC Silicon Surface Mount Mosfet - XFDFN-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 281.9pF @ 10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DFN | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 16V | |
| 连续漏极电流Id | 2.5A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31mΩ | |
| 栅极电压Vgs | 8V | |
| Qg-栅极电荷 | 10nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 650mW | |
| 系列 | DMG3415 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 下降时间 | 568ns | |
| 上升时间 | 175ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 885ns | |
| 典型接通延迟时间 | 79ns |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,000 |
| DMN2005LP4K-7 | 18,000 |
| LSI1012XT1G | 14,600 |
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