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功率MOSFET   -55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.9A 1.2W 35mΩ 20V 400mV P-Channel

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制造商编号 DMP2035U-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3-DMP2035U-7
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.9A 1.2W 35mΩ 20V 400mV P-Channel
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1610pF @ 10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
连续漏极电流Id 4.9A
Pd-功率耗散(Max) 1.2W
Qg-栅极电荷 15.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ
漏源极电压Vds 20V
栅极电压Vgs 400mV
上升时间 12.4ns
下降时间 42.4ns
典型关闭延迟时间 94.1ns
典型接通延迟时间 16.8ns
正向跨导 - 最小值 14S
系列 DMP2035
通道数量 1Channel
配置 Single
FET类型 P-Channel
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