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功率MOSFET   DFN3x3EP

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制造商编号 AONR21357
制 造 商 AOS(美国万代)  
授权代理品牌
唯样编号 A-AONR21357
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
封装/外壳:DFN 3x3 EP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:-30V 栅极电压Vgs:25V 连续漏极电流Id:-34A
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商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 DFN 3x3 EP
FET类型 P-Channel
ESD Diode No
Schottky Diode No
漏源极电压Vds -30V
栅极电压Vgs 25V
连续漏极电流Id -34A
Pd-功率耗散(Max) 30W
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.8mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V 12.3mΩ
VGS(th) -2.3
Ciss(pF) 2830
Coss(pF) 430
Crss(pF) 365
Qg*(nC) 25
Qgd(nC) 12
Trr(ns) 62
Qrr(nC) 32
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库存 :  546 生产周期:16W

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥4.5641
100+ ¥3.6327
1,000+ ¥2.6176
2,500+ ¥2.2532

整包(请按5000的倍数下单)

5,000+ ¥1.78
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:5,000 
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制造商编号 最近销量(PCS)
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AONR21357 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥4.5641 

阶梯数 价格
1: ¥4.5641
100: ¥3.6327
1,000: ¥2.6176
2,500: ¥2.2532
5,000: ¥1.78
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