制造商编号 | IRFSL3206PBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRFSL3206PBF |
供货 | 自营 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 170nC | |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 6540pF | |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 50V | |
连续漏极电流Id | 210A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3mΩ | |
晶体管配置 | 单 | |
引脚数目 | 3 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
Pd-功率耗散(Max) | 300W | |
典型关断延迟时间 | 55 ns | |
典型接通延迟时间 | 19 ns | |
晶体管材料 | Si | |
高度 | 9.65mm | |
系列 | HEXFET | |
宽度 | 4.83mm | |
长度 | 10.67mm | |
正向跨导 | 210S | |
正向二极管电压 | 1.3V | |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:50
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创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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IRFSL3206PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 210A 3mΩ 300W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPI032N06N3GAKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPI032N06N3 G_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPI032N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPI032N06N3GAKSA1_-55°C~175°C(TJ) 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |