制造商编号 | IRFR120ZTRPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRFR120ZTRPBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
IRFR120Z Series 100 V 8.7 A 190 mOhm SMT HEXFET® Power MOSFET - TO-252AA
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-253-2 | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 35W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ@5.2A,10V | |
工作温度 | -55°C~175°C | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
漏源极电压Vds | 10V | |
连续漏极电流Id | 8.7A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,000
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交期: 请咨询客服 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-253-2 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||||||
RSD050N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
¥6.2382
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18,115 | 对比 | |||||||||||||||||
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | |||||||||||||||||
STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||
IRFR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||
BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK7275-100A_SOT428 |
¥5.6376
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0 | 对比 |