| 制造商编号 | IRFB59N10DPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFB59N10DPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±30V Pd-功率耗散(Max)：3.8W(Ta),200W(Tc) 工作温度：-55°C~175°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs：25mΩ@35.4A,10V FET类型：N-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 114nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2450pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.8W(Ta),200W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 114nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2450pF @ 25V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 25mΩ@35.4A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 59A | |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1,000
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交期： 请咨询客服 |
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
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