制造商编号 | AUIRFR3504ZTRL |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-AUIRFR3504ZTRL |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:3.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):90W
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 40V | |
连续漏极电流Id | 3.1A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 9mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 90W | |
高度 | 2.3mm | |
长度 | 6.5mm | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 6.22mm | |
下降时间 | 38ns | |
上升时间 | 74ns | |
典型关闭延迟时间 | 30ns | |
典型接通延迟时间 | 15ns | |
工作温度 | -55°C~175°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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AUIRFR3504ZTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.5mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
FDD8647L | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||
NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
FDD8647L | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||
TK35S04K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK+ |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
IPD50N04S3-09 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD50N04S309ATMA1_6.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |