| 制造商编号 | IRF1010ES |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRF1010ES |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Rds On(Max)@Id,Vgs：12mΩ 漏源极电压Vds：60V 封装/外壳：D2PAK (TO-263) FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| Moisture Level | 1 Ohms | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 封装/外壳 | D2PAK (TO-263) | |
| Tj max | 175.0°C | |
| QG | 86.6nC | |
| Budgetary Price €/1k | 0.45 | |
| Ptot max | 170.0W | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Qgd | 29.3nC | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| Mounting | SMD | |
| RthJC max | 0.9K/W | |
| 连续漏极电流Id | 83A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：800
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
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