制造商编号 | IPL60R360P6S |
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商品别名 | IPL60R360P6SATMA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IPL60R360P6S |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Rds On(Max)@Id,Vgs:360mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11.3A 封装/外壳:ThinPAK 5x6 工作温度:-40.0°C
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
Moisture Level | 1 Ohms | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 360mΩ | |
漏源极电压Vds | 600V | |
连续漏极电流Id | 11.3A | |
封装/外壳 | ThinPAK 5x6 | |
Rth | 1.4K/W | |
QG | 22.0nC | |
Budgetary Price €/1k | 0.68 | |
工作温度 | -40.0°C | |
Ptot max | 89.3W | |
FET类型 | N-Channel | |
Pin Count | 5.0Pins | |
RthJA max | 62.0K/W | |
Mounting | SMT | |
栅极电压Vgs | 3.5V,4.5V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |