制造商编号 | BSP603S2L |
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商品别名 | BSP603S2LHUMA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-BSP603S2L |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:5.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 栅极电压Vgs:20V FET类型:N-Channel
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 55V | |
连续漏极电流Id | 5.2A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 33mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
配置 | SingleDualDrain | |
功率 | 1.8W | |
高度 | 1.6mm | |
长度 | 6.5mm | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 3.5mm | |
下降时间 | 16ns | |
典型关闭延迟时间 | 28ns | |
典型接通延迟时间 | 10.8ns | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |