制造商编号 | AUIRFR8403 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-AUIRFR8403 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 99nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3171pF @ 25V | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
连续漏极电流Id | 100A,127A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.1mΩ | |
最小栅阈值电压 | 2.2V | |
引脚数目 | 3 | |
晶体管配置 | 单 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
Pd-功率耗散(Max) | 99W | |
高度 | 2.39mm | |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
宽度 | 6.22mm | |
系列 | COOLiRFET | |
晶体管材料 | Si | |
典型关断延迟时间 | 31 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
长度 | 6.73mm |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AUIRFR8403 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.73mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
AOD240 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | |||||||||||
RD3G600GNTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
¥10.6269
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545 | 对比 | |||||||||||
IPD90N04S304ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD90N04S3-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
IPD90N04S3-04 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD90N04S304ATMA1_6.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |