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功率MOSFET   TO-220AB

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制造商编号 IRFB4020PBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFB4020PBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):100W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@11A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 18A
漏源极电压Vds 200V
封装/外壳 TO-220AB
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商品简介

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