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功率MOSFET   8-SMD

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制造商编号 RQ7E055ATTCR
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RQ7E055ATTCR
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.5A(Tc) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Tc)
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 5.5A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18.8nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 860pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 24.5mΩ@5.5A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 8-SMD
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库存 :  100

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥10.2307
100+ ¥5.8008
1,500+ ¥3.6777

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥2.7399
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若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

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最小包:3,000 
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RQ7E055ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SMD

¥10.2307 

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100: ¥5.8008
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