制造商编号 | SQJ940EP-T1_GE3 |
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制 造 商 | Vishay(威世) |
唯样编号 | A-SQJ940EP-T1_GE3 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
DUAL N-CH 40-V PPAK SO-8L
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
系列 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 20V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 896pF @ 20V | |
Pd-功率耗散(Max) | 48W,43W | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
封装/外壳 | SO-8L-4 | |
FET类型 | 2N-Channel | |
连续漏极电流Id | 15A,18A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@15A,10V | |
漏源极电压Vds | 40V | |
栅极电压Vgs | ±20V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择,响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能,具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |