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氮化镓(GaN)手机快充方案

氮化镓(GaN)是一种高电子迁移率晶体管(HEMT),意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压,GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。

一、氮化镓(GaN)器件介绍:

GaN器件分为两种类型:

耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的,为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。

增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的,为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。

GaN VS MOSFET:

他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低,这使得静态功耗显著降低,提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低,提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率,并可以使用更少的电磁学和被动元件。

二、手机快充介绍:

能在极短的时间内(0.5-1Hr)使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。

实现手机快速充电方法:

1.电压不变,提高电流;

2.电流不变,提升电压;

3.电压、电流均提高。

手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响,现在的电池都可以承受大电流。

三、氮化镓(GaN)快充:

氮化镓(GaN)快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓(GaN)核心器件,将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。

氮化镓(GaN)快充方案包含两个部分,充电器部分电源管理部分

充电器部分:充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性,向充电器发出指令,通知充电器改变充电电压和电流,而充电器接收到来自充电管理系统的需求,实时调整充电器的输出参数,配合充电管理系统实现快速充电。

电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内,有独立的电源管理芯片,也有的直接集成在手机套片中,电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控,包含了复杂的处理算法,锂电池充电包括几个阶段:预充阶段、恒流充电阶段,恒压充电阶段、涓流充电阶段。

四、相关器件推荐(充电器部分)

产品类别 参考用量 说明 可配品牌 参考参数、型号 相关产品
电容 1 薄膜电容-X2 KEMET R46KN422045P0M;
0.22uF 275VAC;
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Panasonic ECQUAAF224K;
0.22uF 275VAC;
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2 电解电容-输入滤波 KEMET 400V 100UF 105℃;
ELG107M400AR2AA;
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Nichicon 400V 100UF 105℃;
UPT2G101MHD;
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2 电解电容-输出滤波 YMIN 470uF 25VDC;
LKFD1201E471MF;
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2 Tan 聚合物电容-输出滤波 KEMET 100μF 25VDC;
T521D107M025ATE040;
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AVX 100μF 25VDC;
TAJV107K025RNJ;
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4 MLCC-Y2电容输出抗干扰 KEMET 47uF 100uF 250VAC;
CAS17C470KAGFC;
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Holy Stone - 立即查看
贴片电阻 - - YAGEO - 立即查看
TA-I 立即查看
RALEC 立即查看
共模电感 1 - KEMET - 立即查看
TDK 立即查看
TAI-TECH 立即查看
整流桥 2 - LRC - 立即查看
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MOSFET - 同步整流 Infineon Technologies BSC0805LS,vds 100V,Rds on:7mΩ 立即查看
AOS - 立即查看
VBUS开关 AOS P-MOS 立即查看
Torex Semiconductor P-MOS 立即查看
LDO 1 - Torex Semiconductor - 立即查看
ROHM Semiconductor - 立即查看
变压器 1 - 旭诠 - 立即查看
保险丝 1 - Brightking 3.15A 250V 立即查看
Bourns 3.15A 250V 立即查看
光耦 1 输出电压反馈 Everlight EL1018(TA)-VG 立即查看
ROHM Semiconductor - 立即查看
连接器 1 - Amphenol USB/TYPE-C 立即查看
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