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品牌介绍

      半导体对于应对当今时代的能源挑战和塑造数字化转型至关重要。正因如此,英飞凌致力于积极推动低碳化和数字化进程。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,我们助力打造引发行业变革的解决方案,以实现绿色高效的能源、环保安全的出行以及智能安全的物联网。我们让生活更加便利、安全和环保。携手我们的客户和合作伙伴,共同创造更加美好的未来。
      英飞凌设计、研发、生产并销售范围广泛的半导体和基于半导体的解决方案,聚焦汽车、工业和消费电子等行业的关键市场。其产品多种多样,从标准元器件,到面向数字、模拟和混合信号应用的特殊元器件,再到专为客户打造的特定解决方案以及适当软件,应有尽有。

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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
射频放大器

Silicon Germanium Low Noise Amplifier for Global Navigation Satellite Systems (GNSS)

封装/外壳 : TSNP-6-2/TSNP-6-10

库存:13,000

客服询价

MPQ:12,000

交期:3天-5天

封装/外壳 : PG-TSNP-6-10

库存:12,000

客服询价

MPQ:12,000

交期:3天-5天

BSZ019N03LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TSDSON-8-FL

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 149A

Pd-功率耗散(Max) : 69W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.9mΩ@20A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC130N20NM6
自营
功率MOSFET

PG-TSON-8-3 N-Channel -55℃~175℃ ±20V 200V 88A 242W 11.7mΩ@ 50A,15V

封装/外壳 : PG-TSON-8-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~175℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 200V

连续漏极电流Id : 88A

Pd-功率耗散(Max) : 242W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 11.7mΩ@ 50A,15V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC080N10NM6
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™ OptiMOS TM6 Power-Transistor,100V

封装/外壳 : PG-TDSON-8 FL

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC011N03L5S
自营
功率MOSFET

PG-TDSON-8-1 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 30V 100A 1.1mΩ@30A,10V 96W

封装/外壳 : PG-TDSON-8-1

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.1mΩ@30A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 96W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSZ039N06NS
自营

-

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC010N04LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TDSON-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 139W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

TDSON-8-5 N-Channel -55°C~150°C ±20V 80V 23A 34mΩ@12A,10V 32W

封装/外壳 : TDSON-8-5

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 80V

连续漏极电流Id : 23A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 34mΩ@12A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 32W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : TDSON-8-1

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 250V

连续漏极电流Id : 25A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 60mΩ@25A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 125W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC030N08NS5
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : SuperSO8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 80V

连续漏极电流Id : 161A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3mΩ

Pd-功率耗散(Max) : 139.0W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC014N04LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : SuperSO8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.4mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 96W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

开关控制/稳压器

EZ-PD™ PAG2S-PS integrated USB PD andsynchronous-rectification controller

封装/外壳 : 32-QFN(5x5)

库存:4,900

客服询价

MPQ:4,900

交期:3天-5天

IRFH7440TRPBF
自营
功率MOSFET

Single N-Channel 40 V 104 W 92 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

封装/外壳 : 8-PQFN(5x6)

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 159A

Pd-功率耗散(Max) : 104W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.4mΩ@50A,10V

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRF7401TRPBF
自营
功率MOSFET

Single N-Channel 20 V 2.5 W 48 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SO

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 8.7A

Pd-功率耗散(Max) : 2.5W(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 22mΩ@4.1A,4.5V

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRF7416TRPBF
自营
功率MOSFET

Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SO

FET类型 : P-Channel

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 10A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 20mΩ@5.6A,10V

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

PQFN 3.3X3.3 8L N-Channel -55°C~150°C(TJ) ±20V 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) 2.8W(Ta),29W(Tc) 115mΩ@6.3A,10V

封装/外壳 : PQFN 3.3X3.3 8L

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 3.2A(Ta),20A(Tc)

Pd-功率耗散(Max) : 2.8W(Ta),29W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 115mΩ@6.3A,10V

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRLHM620TRPBF
自营
功率MOSFET

Single N-Channel 20 V 2.7 W 52 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm

封装/外壳 : PQFN(3x3)-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 26A

Pd-功率耗散(Max) : 2.7W(Ta),37W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.5mΩ@20A,4.5V

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRF7342TRPBF
自营
功率MOSFET

Dual P-Channel 55 V 0.17 Ohm 38 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SO

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

漏源极电压Vds : 55V

连续漏极电流Id : 3.4A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 105mΩ@3.4A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 2W

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRF7103TRPBF
自营
功率MOSFET

Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SO

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

漏源极电压Vds : 50V

连续漏极电流Id : 3A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 130mΩ@3A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 2W

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

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