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品牌介绍

信安半导体成立于2008年,属安联集团全资子公司,致力于大中华地区MOSFET产品销售,2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域,同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。 POWER SOLUSTION是一家专业电力半导体FAB OWN公司。公司成立于2005年,工厂坐落在韩国第一工业城市--浦项,主营POWER MOSFET及IGBT的生产于研发。目前8 英寸月产能12000片,是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线,目前公司员工195人,所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG(三星)半导体和美国FAIRCHILD(仙童)半导体。他们在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VD-MOSFET和IGBT产品获得韩国政府12项技术专利。 POWER SOLUSTION生产的产品广泛应用于电焊机、逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源等各领域。韩国三星电子、LG电子、康佳等公司均为POWER SOLUSTION终端客户。

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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
TSA18N50MR
自营
功率MOSFET

MOS,TO-3P,N沟道,500V,18A,0.31Ω(Max)

封装/外壳 : TO-3P

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 500V

连续漏极电流Id : 18A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 310mΩ@9A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 235W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:450

TSA23N50M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-3P,N沟道,500V,23A,0.26Ω(Max)

封装/外壳 : TO-3P

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 500V

连续漏极电流Id : 23A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 260mΩ@11.5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 280W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:450

TSA28N50M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-3P, N沟道,28N50,500V,28A,0.17Ω(Max)

封装/外壳 : TO-3P

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 500V

连续漏极电流Id : 28A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 170mΩ@12A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 290W

库存:0

客服询价

MPQ:450

TSA65R190S2
自营
功率MOSFET

MOS,TO-3P, N沟道,65R190,650V,20A,0.19Ω(Max)

封装/外壳 : TO-3P

漏源极电压Vds : 650V

连续漏极电流Id : 20A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 0.19Ω

库存:0

客服询价

MPQ:450

TSD5N60M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-252,N沟道,600V,4.5A,2.5Ω(Max)

封装/外壳 : TO-252

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 4.5A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.5Ω@2.25A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 48W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:2,500

TSF10N60M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,600V,10A,0.8Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 10A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 800mΩ@5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 52W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF10N65M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,650V,10A,1.0Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 650V

连续漏极电流Id : 10A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1Ω@3.5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 52W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF10N80M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F, N沟道,10N80,800V,10A,1.1Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 800V

连续漏极电流Id : 10A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.1Ω@5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 240W

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF12N60M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,600V,12A,0.7Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 12A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 700mΩ@6A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 54W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF12N65M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,650V,12A,0.75Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 650V

连续漏极电流Id : 12A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 750mΩ@6A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 54W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF13N50M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F, N沟道,500V,13A,0.48Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 500V

连续漏极电流Id : 13A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 480mΩ@6.5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 48W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF16N50MR
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F, N沟道,500V,16A,0.4Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 500V

连续漏极电流Id : 16A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 400mΩ@8A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 38.5W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF18N20M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,18N20,200V,18A,0.17Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 200V

连续漏极电流Id : 18A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 170mΩ@9A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 35W

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF20N65MR
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,650V,20A,0.48Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 650V

连续漏极电流Id : 20A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 480mΩ@10A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 40W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF4N90M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F, N沟道,4N90,900V,4A,4.2Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

漏源极电压Vds : 900V

连续漏极电流Id : 4A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 4.2Ω

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF5N60M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,600V,4.5A,2.5Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 4.5A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.5Ω@2.25A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 34W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF5N65M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,650V,4.5A,3.0Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 650V

连续漏极电流Id : 4.5A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3Ω@2.25A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 34W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF7N60M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,600V,7A,1.3Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 7A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.3Ω@3.5A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 48W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF7N65M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,650V,7A,1.6Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 650V

连续漏极电流Id : 7A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.6Ω@3.75A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 48W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

TSF8N60M
自营
功率MOSFET

MOS,TO-220F,N沟道,600V,7.5A,1.2Ω(Max)

封装/外壳 : TO-220F

FET类型 : N-Channel

漏源极电压Vds : 600V

连续漏极电流Id : 7.5A(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.2Ω@3.75A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 50W(Tc)

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

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