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HONGWAN(弘湾) HNGTM2611AE栅极驱动器

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专为低逻辑电平的驱动应用设计,集成大电流LDO,快速电平转换器和电压检测电路

HNGTM2611AE专门为低逻辑电平的驱动应用而设计,例如MCU接口直接驱动绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该芯片集成了大电流LDO,快速电平转换器和电压检测电路,以及芯片过温保护。在这些应用中,高度集成的功能特性使该芯片具有节省成本的优势并简化应用PCB的设计,大大提高了应用的可靠性。

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特性:

  • 线性稳压电源(LDO)

  • 输入电压检测(VDET)

  • 快速IGBT驱动电路(IGBTDRV)

  • 内置过温保护(TSD)

  • 宽工作温度范围: -40℃~125℃

  • 高压差线性稳压器LDO200mA大电流输出,6.5uA低静态电流,低压降

  • 封装形式:SOP-8

应用:

家用电器;电磁感应加热;电池供电系统;通信设备

HNGTM2611AE栅极驱动器产品详情

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