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"SI7454DDP-T1-GE3" |
图片 |
商品 |
描述 |
关键参数 |
单价(含税)
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库存 |
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封装/外壳 : SOIC-8 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55°C~150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 100V 连续漏极电流Id : 21A Pd-功率耗散(Max) : 4.1W(Ta),29.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs : 33mΩ@10A,10V |
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