过滤结果 : 2 |
"RA1C030LDT5CL" |
图片 |
商品 |
描述 |
关键参数 |
单价(含税)
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库存 |
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封装/外壳 : DSN1006-3 FET类型 : N-Channel 栅极电压Vgs : -2V,7V 漏源极电压Vds : 20V 连续漏极电流Id : ±3A Rds On(Max)@Id,Vgs : 140mΩ Pd-功率耗散(Max) : 1W |
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库存:100 MPQ:1,500 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : DSN1006-3 FET类型 : N-Channel 栅极电压Vgs : -2V,7V 漏源极电压Vds : 20V 连续漏极电流Id : ±3A Rds On(Max)@Id,Vgs : 140mΩ Pd-功率耗散(Max) : 1W |
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