过滤结果 : 47,188 |
"MOSFET" |
图片 |
商品 |
描述 |
关键参数 |
单价(含税)
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库存 |
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封装/外壳 : SOT-23 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : -30V 连续漏极电流Id : -4.1A Rds On(Max)@Id,Vgs : 55mΩ@-4A,-10V Pd-功率耗散(Max) : 1.51W |
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库存:202,935 MPQ:3,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOT1205 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55°C~175°C 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 40V 连续漏极电流Id : 40A Pd-功率耗散(Max) : 68W |
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库存:201,256 MPQ:1,500 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : TO-236AB FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 60V 连续漏极电流Id : 0.3A Pd-功率耗散(Max) : 0.265W |
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库存:201,123 MPQ:3,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOT-23 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±12V 漏源极电压Vds : -30V 连续漏极电流Id : -4A Pd-功率耗散(Max) : 1.4W Rds On(Max)@Id,Vgs : 60mΩ@-3.5A,-4.5V |
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封装/外壳 : SOT23 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±8V 漏源极电压Vds : -20V 连续漏极电流Id : -5.3A Pd-功率耗散(Max) : 0.49W |
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库存:200,964 MPQ:3,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOT-23-3 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~150°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 60V 连续漏极电流Id : 1.2A Pd-功率耗散(Max) : 1W(Ta),1.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs : 345mΩ |
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库存:200,090 MPQ:3,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOT-23 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55℃~150℃ 栅极电压Vgs : ±12V 漏源极电压Vds : -30V 连续漏极电流Id : -4.2A Rds On(Max)@Id,Vgs : 90mΩ@-1A,-2.5V Pd-功率耗散(Max) : 0.35W |
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封装/外壳 : PowerPak1212-8 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~175°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 60V 连续漏极电流Id : 16A Pd-功率耗散(Max) : 53W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs : 65mΩ 产品特性 : 车规 |
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库存:200,000 MPQ:3,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOP-8 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55℃~150℃ 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : -30V 连续漏极电流Id : -9.1A Rds On(Max)@Id,Vgs : 24mΩ@-9.1A,-10V Pd-功率耗散(Max) : 1.4W |
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封装/外壳 : SOT-23-6 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55℃~150℃ 栅极电压Vgs : ±12V 漏源极电压Vds : -20V 连续漏极电流Id : -3A Rds On(Max)@Id,Vgs : 150mΩ@-1.6A,-1.8V Pd-功率耗散(Max) : 0.96W |
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封装/外壳 : SOT-23 FET类型 : P-Channel 栅极电压Vgs : ±12V 漏源极电压Vds : -30V 连续漏极电流Id : -4.2A Rds On(Max)@Id,Vgs : 96mΩ@2.5V |
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库存:200,000 MPQ:3,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : TO-252 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~175°C(TJ) 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : -60V 连续漏极电流Id : -20A Pd-功率耗散(Max) : 46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs : 55mΩ@-19A,-10V 产品特性 : 车规 |
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库存:200,000 MPQ:2,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOT-23 FET类型 : N-Channel 栅极电压Vgs : ±12V 漏源极电压Vds : 30V 连续漏极电流Id : 5.8A Rds On(Max)@Id,Vgs : 26mΩ@10V |
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库存:200,000 MPQ:3,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : PowerJE®7x8 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55°C~175°C 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 40V 连续漏极电流Id : 337A Pd-功率耗散(Max) : 250W Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.2mΩ@20A,10V 产品特性 : 车规 |
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库存:200,000 MPQ:2,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : TO-252 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 30V 连续漏极电流Id : 100A Pd-功率耗散(Max) : 70W Rds On(Max)@Id,Vgs : 4mΩ@30A,10V |
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封装/外壳 : SOT-23-3 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±12V 漏源极电压Vds : -12V 连续漏极电流Id : -6A Rds On(Max)@Id,Vgs : 30mΩ@-6A,-4.5V Pd-功率耗散(Max) : 1.8W |
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封装/外壳 : SOT883 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 60V 连续漏极电流Id : 0.35A Pd-功率耗散(Max) : 0.35W |
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库存:200,000 MPQ:10,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOT669 FET类型 : N-Channel 工作温度 : 175℃ 栅极电压Vgs : 1.7V 漏源极电压Vds : 60V 连续漏极电流Id : 86A Pd-功率耗散(Max) : 147W |
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库存:200,000 MPQ:1,500 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : SOT883 FET类型 : P-Channel 工作温度 : -55°C~150°C 栅极电压Vgs : ±8V 漏源极电压Vds : -20V 连续漏极电流Id : -1.4A Rds On(Max)@Id,Vgs : 450mΩ@300mA,4.5V Pd-功率耗散(Max) : 0.36W |
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库存:162,000 MPQ:10,000 交期:3天-5天 |
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封装/外壳 : DFN2*2-6 FET类型 : N-Channel 工作温度 : -55℃~150℃ 栅极电压Vgs : ±20V 漏源极电压Vds : 30V 连续漏极电流Id : 10A Rds On(Max)@Id,Vgs : 16mΩ@5A,4.5V Pd-功率耗散(Max) : 1.25W |
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