首页 > 商品目录 > > > > IXTP60N10T代替型号比较

IXTP60N10T  与  IRF3710PBF  区别

型号 IXTP60N10T IRF3710PBF
唯样编号 A36-IXTP60N10T A-IRF3710PBF
制造商 IXYS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 18 mOhm 176 W Power Mosfet - TO-220 Single N-Channel 100 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 57A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.94
50+ :  ¥5.489
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IXTP60N10T IXYS  数据手册 功率MOSFET

¥5.94 

阶梯数 价格
9: ¥5.94
50: ¥5.489
50 当前型号
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT412 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 60A 150W 15.8mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT412 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 60A 150W 15.8mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消