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FDS4435BZ  与  SI4435DY  区别

型号 FDS4435BZ SI4435DY
唯样编号 A36-FDS4435BZ A32-SI4435DY-1
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 0.035 0hms
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs - -20 V、+20 V
封装/外壳 8-SOIC 4.9*3.9*1.57mm
连续漏极电流Id - 8.8 A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
长度 - 4.9mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
正向二极管电压 - 1.2V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +175 °C
高度 - 1.57mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 42 ns
漏源极电压Vds - 1604 pF @ -15 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
晶体管配置 -
FET类型 - 增强
系列 - PowerTrench
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1604pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 13 ns
正向跨导 - 24S
库存与单价
库存 5,552 0
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
30+ :  ¥1.87
100+ :  ¥1.43
1,250+ :  ¥1.243
2,500+ :  ¥1.177
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4435BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.87 

阶梯数 价格
30: ¥1.87
100: ¥1.43
1,250: ¥1.243
2,500: ¥1.177
5,552 当前型号
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.0076 

阶梯数 价格
50: ¥1.0076
200: ¥0.7755
1,500: ¥0.6732
3,000: ¥0.627
10,946 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,667 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 对比
IRF9332PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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