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FDN358P  与  BSS315PH6327XTSA1  区别

型号 FDN358P BSS315PH6327XTSA1
唯样编号 A36-FDN358P A-BSS315PH6327XTSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,10V -
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 282pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 1.5A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 150 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 11uA
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,262 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.551
100+ :  ¥1.243
750+ :  ¥1.111
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
750: ¥1.111
1,262 当前型号
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55℃~150℃

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
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¥0.9482 

阶梯数 价格
60: ¥0.9482
200: ¥0.7293
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FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A

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80: ¥0.6424
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-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

¥0.4849 

阶梯数 价格
110: ¥0.4849
196 对比

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