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DMN3008SFG-7  与  BSZ0589NSATMA1  区别

型号 DMN3008SFG-7 BSZ0589NSATMA1
唯样编号 A36-DMN3008SFG-7-1 A-BSZ0589NSATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3690 pF @ 10 V 950pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 86 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17.6A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.4 毫欧 @ 8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 1,823 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.7028
100+ :  ¥1.3068
1,000+ :  ¥1.089
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.7028 

阶梯数 价格
30: ¥1.7028
100: ¥1.3068
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阶梯数 价格
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2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.693
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¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9812
1,250: ¥0.8184
2,500: ¥0.7436
5,000: ¥0.682
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0 对比
AON7422E AOS  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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