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DMG6402LDM-7  与  STT6N3LLH6  区别

型号 DMG6402LDM-7 STT6N3LLH6
唯样编号 A36-DMG6402LDM-7 A-STT6N3LLH6
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-26 SOT
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 5.3A(Ta) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.12W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 27mΩ@7A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 404 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.2 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.12W(Ta) ±20V SOT-26 -55℃~150℃(TJ) 30V 5.3A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta)

¥1.217 

阶梯数 价格
130: ¥1.217
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.0829
4,000: ¥1.074
6,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta)

¥1.217 

阶梯数 价格
130: ¥1.217
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.0829
3,000 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
2,000: ¥1.0733
2,275 对比
RTQ035N03TR ROHM Semiconductor 通用MOSFET

12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A

¥0.8851 

阶梯数 价格
170: ¥0.8851
500: ¥0.8751
1,000: ¥0.8751
1,100 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta)

¥1.217 

阶梯数 价格
130: ¥1.217
500: ¥1.1404
985 对比

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