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AON6576  与  DMN3008SFG-7  区别

型号 AON6576 DMN3008SFG-7
唯样编号 A36-AON6576 A36-DMN3008SFG-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 26W 900mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3690 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 86 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 5x6 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 32A 17.6A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
库存与单价
库存 1,670 2,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9383
200+ :  ¥0.6479
1,500+ :  ¥0.5874
30+ :  ¥2.288
100+ :  ¥1.749
1,000+ :  ¥1.529
2,000+ :  ¥1.441
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 当前型号
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

¥3.08 

阶梯数 价格
20: ¥3.08
100: ¥2.475
1,250: ¥2.2
2,500: ¥2.079
3,325 对比
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥3.5551
100: ¥3.3731
500: ¥3.1431
1,000: ¥3.0377
2,000: ¥2.8269
2,234 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.749
1,000: ¥1.529
2,000: ¥1.441
2,000 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_5.9mm

¥3.905 

阶梯数 价格
20: ¥3.905
100: ¥3.256
567 对比
BSC0906NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0906NSATMA1_5.9mm

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.551
279 对比

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