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AOD5N40  与  IRFR825PBF  区别

型号 AOD5N40 IRFR825PBF
唯样编号 A36-AOD5N40 A-IRFR825PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 3 -
功率耗散(最大值) - 119W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1600mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 2.3 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1346pF @ 25V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 16.5 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 4.2A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 331 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.3 欧姆 @ 3.7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 160 -
Td(off)(ns) 24 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 400V -
Pd-功率耗散(Max) 78W -
Qrr(nC) 930 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 500V
Coss(pF) 42 -
Qg*(nC) 6.9* -
库存与单价
库存 87 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.068
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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