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RSD150N06TL  与  IPD26N06S2L-35  区别

型号 RSD150N06TL IPD26N06S2L-35
唯样编号 A33-RSD150N06TL A-IPD26N06S2L-35
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 47mΩ
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 55V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 1.2V,2V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 CPT3 DPAK (TO-252)
工作温度 150°C(TJ) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 30A
RthJC max - 2.2 K/W
QG (typ @10V) - 10.0 nC
Ptot max - 68.0W
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 15A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.19
库存与单价
库存 539 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.0753
50+ :  ¥4.3696
100+ :  ¥3.8043
300+ :  ¥3.4305
500+ :  ¥3.3539
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.0753 

阶梯数 价格
30: ¥6.0753
50: ¥4.3696
100: ¥3.8043
300: ¥3.4305
500: ¥3.3539
539 当前型号
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
STD20NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 7,500 对比
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规

¥7.1198 

阶梯数 价格
30: ¥7.1198
50: ¥5.4237
100: ¥4.8583
300: ¥4.475
500: ¥4.3984
1,000: ¥4.3409
4,000: ¥4.3025
4,547 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.498 

阶梯数 价格
20: ¥3.498
100: ¥2.904
1,152 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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