DTA115TETL 与 DDTA115GE-7-F 区别
| 型号 | DTA115TETL | DDTA115GE-7-F | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-DTA115TETL | A36-DDTA115GE-7-F | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 未分类 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | - | 100k Ohms | ||||||||||||
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | - | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||
| 功率 | 3/20W | - | ||||||||||||
| 特征频率fT | - | 250 MHz | ||||||||||||
| 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | - | ||||||||||||
| 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 100µA,1mA | - | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV | ||||||||||||
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | - | ||||||||||||
| FET类型 | PNP - 预偏压 | - | ||||||||||||
| 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 | SOT-523 | ||||||||||||
| 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) | 100k | - | ||||||||||||
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | - | ||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | 100mA | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 82 | ||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | 50V | ||||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 3,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||