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NDS331N  与  BSH105,215  区别

型号 NDS331N BSH105,215
唯样编号 A32-NDS331N-1 A36-BSH105,215
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23 N-Channel 20 V 200 mO 417 mW Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 0.17W
输出电容 - 71pF
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT23
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 1.3A(Ta) 1.05A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 162pF @ 10V -
输入电容 - 152pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 200mΩ@600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 162pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 15,000 15,517
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.66
6,000+ :  ¥0.6435
15,000+ :  ¥0.6274
60+ :  ¥0.8492
200+ :  ¥0.5852
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.66 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.66
6,000: ¥0.6435
15,000: ¥0.6274
15,000 当前型号
RUF015N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2458
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1404
48,000 对比
RUF015N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2458
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1404
48,000 对比
RUF015N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.7057 

阶梯数 价格
90: ¥1.7057
100: ¥1.6195
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2458
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1404
33,770 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
20,371 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比

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