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IRF3710ZPBF  与  PSMN009-100P,127  区别

型号 IRF3710ZPBF PSMN009-100P,127
唯样编号 A32-IRF3710ZPBF A-PSMN009-100P,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@35A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 160W(Tc) 230W
输出电容 - 620pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 59A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
输入电容 - 8250pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.8mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 24 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.8948
20+ :  ¥14.0254
50+ :  ¥11.4962
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